| 序号 | 技术要求内容 | 评分等级 | 是否星号条款 | 是否需要附件说明 |
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★1.此设备为空心阴极、多弧“二合一”多功能真空离子镀膜机，其中，多弧离子镀镀功能分为带磁过滤和不带磁过滤两种。真空室为八角型（大体布局见附件图纸），可制备氧化铟基、氧化锡基、氧化锌基、氧化钛基、氮化钛基、氮氧化钛等化合物功能膜层，以及铜、铝、镍等金属及合金电极等。
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2. 空心阴极镀膜功能技术参数：（1）电源部分包括：主束电源（100V/200A 1台；）引束电源（600V/10A）1台；集束线圈电源（30V/20A）2台；枪集束电源（20V/15A）1台。（2）电子枪主体部件由耐热金属、钽管、硼化镧组成，安装在腔室侧壁上，电子束旋转90度后垂直打到位于真空室底部的坩埚中用于制备膜层的原材料上，装卡基板的治具位于腔体正上方。（3）靶基距可调。
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| 3 |
3. 多弧离子镀功能技术参数：（1）四台弧电源，每台25V×200A，功率5 kW；加备1台200A备用弧电源。（2）四个弧靶中，有两个永磁磁场弧靶； 靶材尺寸 Φ100×16 mm，弧源头前端外圆部和中心部，分别安装永磁磁场，磁场强度可调整，靶材冷却采用间接方式；另两个为电磁场加永磁场弧靶；靶材尺寸Φ100×25mm，弧源头后端安装电磁线圈，靶材中心部安装永磁磁场，磁场强度可调整，靶材冷却采用直接方式。（3）设置可移动基片位置的装置，以方便调节靶基距。
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| 4 |
▲4.有效镀膜范围或样品尺寸不小于210 mm ×210 mm，可兼容硬质衬底和易碎的薄硅片等衬底，样品台能够在水平面内实现 360 度自转，可连续旋转且转速可调≤ 20 rpm。
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| 5 |
▲5. 基板温控范围：室温至500℃，控温精度±2℃。
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| 6 |
▲6. 两种功能的靶基距可调范围分别为：空心阴极200-400 mm，多弧180-410 mm，具体可根据实际镀膜调试情况进行调整。
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| 7 |
★7.镀膜均匀性：空心阴极离子镀，配置膜厚仪，并配置挡板（避免等离子体启辉或薄膜初始沉积阶段对衬底的污染）。选取技术指标1中所述任一化合物薄膜，在膜层厚度5~100 nm下，基板片内镀膜均匀性≤5%；选取技术指标1中所述任一化合物薄膜或电极材料，多弧离子镀（带磁过滤），在膜层厚度50 nm~10 µm下，基板片内镀膜均匀性≤10%。
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8.工艺腔极限真空度：≤5×10-4 Pa。
| 重要
| 否 | 是 |
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▲9.工艺腔本底真空度：≤5×10-3 Pa，从装样（破真空状态）到工艺腔达到本底真空度的等待时间≤15 min。
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| 10 |
10.腔体氦检漏率：≤5×10-10 Pa.m3/s。
| 重要
| 否 | 是 |
| 11 |
11. 腔体漏气率：＜3×10-1 Pa/小时，停泵24小时后，腔室压力＜5 Pa。
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12.工艺气体为氩气、氧气、氮气、氢气4路，另预留2个气源接口作为后续其他工艺气体接入，连接到混气罐上，各气路配备独立的流量计搭配手动进气阀和自动进气阀，流量计可PID控制，配合阀门实现自动工艺压力控制；配备匀气装置，保证反应气体均匀稳定。气体质量流量计最小精度≤1 sccm，量程分别为：氩气500 sccm、氧气200 sccm、氮气200 sccm、氢气100 sccm，预留气路200 sccm。
| 重要
| 否 | 是 |
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13.偏压范围：低档0-300 V；高档0-800 V；
| 重要
| 否 | 否 |
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14. 脉冲偏压电源功率10 kW。（频率40 kHz，占空比0-80%，低档500 V，高档1000 V）
| 重要
| 否 | 否 |
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15.整机冷却通过水冷式冷水机进行冷却，冷水机功率15P，冷却效果良好，不会对环境温度产生影响。
| 重要
| 否 | 否 |
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16.每种镀膜功能都有合适的外观察窗，可观察等离子体环境和衬底上的镀膜状态，观察窗配手动挡板。
| 重要
| 否 | 否 |
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17. 工艺过程由触摸屏和计算机一体式＋PLC全自动控制，直接在触摸屏上操作；操作人员可自定义编辑沉积流程菜单，并方便调取和导入机台控制系统。
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| 否 | 否 |
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18. 腔体为耐腐蚀材质。
| 重要
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19.软件及其功能
①提供控制机以及各种与仪器连接的接口等硬件设备； ②提供自动化操作软件，具有自动化控制功能； ③主机自动化控制软件具有调用并控制分机沉积工艺程序功能； ④能自动化地控制温度，包括加热器温度的监测、设定及升降温速率控制； ⑤能自动化地控制样品台旋转的方向和转速； ⑥能自动化地进行参数记录，包括实时记录系统的各项参数如真空度、温度、气体流量等； ⑦能设置急停设备，以防止出现特殊情况； 软件预留手动操作模式
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| 否 | 是 |
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20.配置清单
①真空室1个；（水带式水冷，含两层内衬板，20kW加热器） ②真空机组：螺杆式干式泵1台；罗茨泵1台；磁悬浮分子泵1台；插板阀1个；粉尘过滤器1套；前级阀1个；预抽阀1个；放气阀1个；管道1套 ③炉体支架1套；（80*80*5方钢+100槽钢+冷轧碳钢板焊接组成，炉体支架、气管、水管、电线、电缆桥架一体完成，表面喷塑防腐） ④工件公自转系统1套，附带可用于试验的夹具或载板； ⑤真空测量系统1套，配电离规、热偶规、隔膜规； ⑥水冷控制系统1套； ⑦反应气体气动控制系统1套； ⑧匀气装置1套； ⑨电源：弧电源4台＋备用弧电源1台；脉冲偏压电源1台。电源柜体配置断电支持系统（UPS） ⑩治具1套； ⑪整机控制系统1套； ⑫HCD电子枪及磁偏转和聚焦系统1套； ⑬供电系统1套； ⑭随机配件1套；包含密封圈，油封，轴承，专用工具，随机技术文件等。 ⑮膜厚仪1套。
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